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本发明提供一种半导体器件的金属线及金属线的制作方法，该金属线的制作方法包括以下步骤：提供一上表层包括依次层叠的层间介质层及金属层的半导体结构；于金属层的上表面形成预设厚度的缓冲介质层，并形成覆盖缓冲介质层上表面的介电抗反射层；形成覆盖介电抗反射层上表面的光致抗蚀层，并图案化光致抗蚀层；基于图案化的光致抗蚀层形成贯穿介电抗反射层、缓冲介质层及金属层的沟槽，形成沟槽后的金属层剩余部分作为金属线；形成填充沟槽的隔离介电层。本发明改进形成金属线的工艺，于介电抗反射层与金属层之间形成预设厚度的缓冲介质层，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117712034A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202410162336.1
(22)申请日2024.02.05
(71)申请人粤芯半导体技术股份有限公司
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