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本发明属于单晶炉技术领域，具体的说是一种单晶炉石墨坩埚提升装置，包括提升结构，提升结构的外侧设有炉体，炉体的内部从下往上依次设有提升结构、坩埚、调节装置、入料结构和导流筒；入料结构包括：储料筒，储料筒设在炉体的侧壁，储料筒的内部用于放置多晶硅；输送管道，输送管道设在储料筒的下端，且输送管道与储料筒相连通，输送管道的另一端伸至储料筒的内部；提升结构包括：抬升轴。通过设置调节装置，可以使坩埚在抬升的过程中，将坩埚的降温与下一次使用的多晶硅原料进行预热处理同步进行，使得在进行下一次的硅单晶生产，需要将
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117702270A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202311721793.1
(22)申请日2023.12.14
(71)申请人连城凯克斯科技有限公司
地址2
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