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深紫外发光二极管器件的制备方法.pdfVIP

深紫外发光二极管器件的制备方法.pdf

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    本发明提供了一种深紫外发光二极管器件的制备方法，上述方法包括：首先，在衬底上外延生长多个发光结构；之后，在发光结构表面形成接触电极组件，并对接触电极组件进行一次退火处理；再之后，在电极组件表面形成加厚电极组件；再之后，在发光结构表面形成绝缘组件，绝缘组件暴露出加厚电极组件；最后，在加厚电极组件表面形成焊盘组件；其中，在进行S30步骤之后，至少对加厚电极组件进行二次退火处理，在进行二次退火处理的过程中，二次退火温度为200～650℃，二次退火时间为1～10min，二次退火氛围为氮气、氧气、氮气与氧

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117712260A

    (43)申请公布日2024.03.15

    (21)申请号202311872705.8

    (22)申请日2023.12.29

    (71)申请人武汉优炜芯科技有

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