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一种晶体生长装置.pdfVIP

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  • 2024-03-20 发布于四川
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一种晶体生长装置.pdf

    本实用新型属于半导体晶体生长技术领域，特别涉及一种晶体生长装置，其包括：坩埚；第一接触加热组件，周向设置在所述坩埚的侧壁外；第二接触加热组件，周向设置在所述坩埚的侧壁外且位于所述第一接触加热组件上方；该晶体生长装置能够有效地增大籽晶与反应粉料升华气体的温度差，进而有效地提高物理气相传输法的结晶速度。

    (19)国家知识产权局

    (12)实用新型专利

    (10)授权公告号CN220619188U

    (45)授权公告日2024.03.19

    (21)申请号202221225198.X

    (22)申请日2022.05.19

    (73)专利权人季华恒一（佛山

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