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本申请涉及一种晶圆切割方法,包括:在衬底背离芯片的一侧粘贴背膜,得到待切割件;对待切割件按照单颗目标芯片的尺寸放大N倍划分第一切割道,第一切割道包括第一横向切割道和第一纵向切割道,进行一次切割,得到W个放大网格区,N≥2,W≥4;对放大网格区按照单颗目标芯片的尺寸划分第二切割道,第二切割道包括第二横向切割道和第二纵向切割道,进行二次切割,得到目标芯片。通过一次切割过程中释放部分应力,并得到均匀分布的放大网格区,可提高切割稳定性,再进行二次切割,可有效降低胶膜张力,避免背面崩角或背面隐裂等缺陷,从
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117727694A
(43)申请公布日2024.03.19
(21)申请号202410171719.5
(22)申请日2024.02.07
(71)申请人立芯精密智造(昆山)有限公司
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