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提供晶片的加工方法。该方法包含：切削槽形成工序，从晶片的正面侧沿着分割预定线通过切削刀具形成深度相当于器件芯片的完工厚度的切削槽；密封工序，利用密封材料将晶片的正面密封；磨削工序，从晶片的背面侧将晶片磨削至器件芯片的完工厚度而使切削槽中的密封材料露出；对准工序，通过可见光拍摄构件从晶片的正面侧透过密封材料来检测对准标记，根据对准标记检测应进行激光加工的分割预定线；和分割工序，从晶片的正面侧沿着分割预定线照射对于密封材料具有吸收性的波长的激光束，通过烧蚀加工将晶片分割成正面和4个侧面被密封材料围绕
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN109473348A
(43)申请公布日
2019.03.15
(21)申请号20181
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