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2024-03-20 发布于四川
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绝缘体上硅及其键合方法.pdf

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本发明提供了一种绝缘体上硅及其键合方法，通过采用等离子工艺处理第一半导体晶圆的氧化层表面以及第二半导体晶圆的待键合表面形成粗糙表面并进行清洗，从而能够使第一半导体晶圆的氧化层表面以及第二半导体晶圆的待键合表面形成分布有更多羟基的亲水表面，然后执行真空键合工艺，形成键合界面中氢键增加的键合结构。上述种绝缘体上硅及其键合方法，增强了键合强度，大大减少了剥离后作为顶层硅的第一半导体晶圆表面气泡的出现，使得键合良率得到极大提高，减少了顶层硅脱落不良，对绝缘体上硅产品的总良率有较大提升。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117727687A

(43)申请公布日2024.03.19

(21)申请号202311768531.0

(22)申请日2023.12.20

(71)申请人上海新傲科技股份有限公司

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