原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本实用新型关于一种单横模半导体激光器，涉及半导体激光器技术领域。包括衬底、下波导盖层、有源层、上波导盖层和欧姆接触层；衬底、下波导盖层、有源层、上波导盖层和欧姆接触层由下至上依次设置，衬底的下方以及欧姆接触层的上方均设置有电极；上波导盖层为p型掺杂，下波导盖层为n型掺杂，上波导盖层、有源层、下波导盖层共同构成P‑I‑N结构。本实用新型提出的半导体激光器可实现宽波导下的单横模工作。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220628484U
(45)授权公告日2024.03.19
(21)申请号202321904269.3
(22)申请日2023.07.19
(73)专利权人华中科技大学
地址43007
文档评论（0）