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本发明属于磁控溅射领域，具体涉及一种可控生长纳米银薄膜的超高真空磁控装置。本发明针对现有技术的不足，做了创新。共设计有四个靶材的位置，并且四个靶材之间有不锈钢隔板隔开，防止其中一个靶材在工作的时候，溅射的粒子会污染其他三个靶材；每个靶材配备有独立电源控制；设计可独立控制衬底温度和衬底偏压的360°旋转调节基片台，基片台一共有四个放置基片衬底的位置，每个位置都有独立的不锈钢隔板隔开；可控的靶间距为制备功能薄膜材料创造了条件。基片台的设计，除了可独立旋转，还可以进行垂直方向移动，从而调节靶材与基片台
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117721414A
(43)申请公布日2024.03.19
(21)申请号202311530816.0
(22)申请日2023.11.16
(71)申请人苏州城市学院
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