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本公开涉及一种晶圆键合方法及半导体结构，所述方法包括提供衬底，衬底上包括键合覆盖区域及周向环绕键合覆盖区域且位于衬底边缘的外围区域，外围区域为不执行清洗工艺的边缘区域；外围区域包括位于衬底顶面的直径方向上相对两侧的第一对准图形及第二对准图形；提供键合层，将键合层的键合区域与衬底的键合覆盖区域键合连接，得到初始半导体结构；键合区域在衬底顶面的正投影位于键合覆盖区域以内；以第一对准图形及第二对准图形为套刻对准图形，在初始半导体结构上形成半导体层，得到目标晶圆。通过在外围区域设置对准图形，避免对准图形
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117727640A
(43)申请公布日2024.03.19
(21)申请号202311575896.1
(22)申请日2023.11.23
(71)申请人上海先进半导体制造有限公司
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