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本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种紫外发光二极管，其包括半导体叠层以及位于半导体叠层之上的金属叠层，金属叠层沿自下向上的方向依次包括第一粘附层、金属耦合层、热传导层、第二粘附层，金属耦合层包括平坦层和阻挡层，金属耦合层靠近热传导层的表层结构为阻挡层，金属耦合层靠近第一粘附层的表层结构为平坦层，其中，平坦层的材料具有第一热膨胀系数，阻挡层的材料具有第二热膨胀系数，第一热膨胀系数小于第二热膨胀系数。借此设置，可以有效改善紫外发光二极管的金属内应力问题，减小电极附着异常或脱落的风险，防止电压飘
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117727850A
(43)申请公布日2024.03.19
(21)申请号202311438316.4
(22)申请日2023.11.01
(71)申请人泉州三安半导体科
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