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本申请提供一种屏蔽栅功率器件制备方法和屏蔽栅功率器件。本申请提供的方法，包括：制备中间结构；其中，中间结构包括半导体层、形成于半导体层的沟槽、位于沟槽的底部的第一栅极、以及位于第一栅极和半导体层之间、并包覆第一栅极的底部、侧壁和顶部的第一隔离层；其中，第一栅极朝向沟槽的槽底的下表面高于槽底；第一隔离层包覆第一栅极的顶部隔离层低于沟槽的顶面，顶部隔离层与沟槽位于顶部隔离层之上的部分成钝角，顶部隔离层与沟槽位于顶部隔离层之上的部分围设成U型结构；在U型结构上、以及半导体层上形成第二隔离层；其中，第二
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117727620A
(43)申请公布日2024.03.19
(21)申请号202410171150.2
(22)申请日2024.02.06
(71)申请人深圳市顾邦半导体科技有限公司
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