一种LED芯片.pdfVIP

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  • 2024-03-20 发布于四川
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本实用新型提供了一种LED芯片,通过设置所述第二电极(金属反射)、钝化层(介质层)、第二接触孔、电流阻挡层(介质层)以及透明导电层(导电层)的相互结构关系形成ODR结构,光线在所述复合区域可形成全反射,从而使第二电极对应复合区域的光线被反射后从LED芯片的上表面取出,藉以有效地提升光提取效率;同时,在所述第二电极的正下方设有所述电流阻挡层,可很好地防止LED芯片从第二电极(P型电极)注入的电流集中在电极正下方而造成的电流拥挤现象。

(19)国家知识产权局

(12)实用新型专利

(10)授权公告号CN220627836U

(45)授权公告日2024.03.19

(21)申请号202322242849.7

(22)申请日2023.08.21

(73)专利权人厦门乾照光电股份有限公司

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