- 1
- 0
- 约1.3万字
- 约 14页
- 2024-03-20 发布于四川
- 举报
本实用新型提供了一种LED芯片,通过设置所述第二电极(金属反射)、钝化层(介质层)、第二接触孔、电流阻挡层(介质层)以及透明导电层(导电层)的相互结构关系形成ODR结构,光线在所述复合区域可形成全反射,从而使第二电极对应复合区域的光线被反射后从LED芯片的上表面取出,藉以有效地提升光提取效率;同时,在所述第二电极的正下方设有所述电流阻挡层,可很好地防止LED芯片从第二电极(P型电极)注入的电流集中在电极正下方而造成的电流拥挤现象。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220627836U
(45)授权公告日2024.03.19
(21)申请号202322242849.7
(22)申请日2023.08.21
(73)专利权人厦门乾照光电股份有限公司
地址
您可能关注的文档
最近下载
- 山东九五高中协作体2026-2027学年高三年级10月学习质量综合评估物理+答案.docx VIP
- 2025一级注册消防工程师继续教育(消防设施规范)试题及参考答案.docx VIP
- 山东省九五高中协作体2027届高三上学期10月学习质量综合评估数学试卷(含答案).pdf VIP
- 2021版中国尖锐湿疣临床诊疗指南.pptx VIP
- GB∕T 324-2008 焊缝符号表示法(高清版).pdf
- 2018年数学(2-2):活页(十一)word版含解析.docx VIP
- 肛门鳞状细胞癌前病变规范化防治中国专家共识(2026版).pptx VIP
- 部编版小学语文六年级上册第三单元测试卷含答案(共3套).doc VIP
- 教师资格证《语文学科知识与教学能力(初级中学)》真题及解析(2026上半年).pdf VIP
- 河道水面线推求及参数选取方法.doc VIP
原创力文档

文档评论(0)