电子科技大学半导体物理期末考试试卷试题答案.pdfVIP

电子科技大学二零零六至二零零七学年第一学期期末考试

半导体物理课程考试题卷120分钟考试形式：闭卷考试日期200

7年1月14日

注：1、本试卷满分70分;平时成绩满分15分;实验成绩满分15分；

2.、本课程总成绩=试卷分数+平时成绩+实验成绩..

课程成绩构成：平时分;期中分;实验分;期

末分

一二三四五六七八九十合

计

一、选择填空含多选题2×20=40分

1、锗的晶格结构和能带结构分别是C..

A.金刚石型和直接禁带型B.闪锌矿型和直接禁带型

C.金刚石型和间接禁带型D.闪锌矿型和间接禁带型

2、简并半导体是指A的半导体..

A、E-E或E-E≤0

CFFV

B、E-E或E-E≥0

CFFV

C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度

D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子

14-315-3

3、在某半导体掺入硼的浓度为10cm;磷为10cm;则该半导体为B半导体；其有效

杂质浓度约为E..

15-314-3

A.本征;B.n型;C.p型;D.1.1×10cm;E.9×10cm

4、当半导体材料处于热平衡时;其电子浓度与空穴浓度的乘积为B;并且该乘积和E、F有

关;而与C、D无关..

A、变化量；B、常数；C、杂质浓度；D、杂质类型；E、禁带宽度；F、温度

5、在一定温度下;对一非简并n型半导体材料;减少掺杂浓度;会使得C靠近中间能级E；

i

如果增加掺杂浓度;有可能使得C进入A;实现重掺杂成为简并半导体..

A、E；B、E；C、E；D、E；E、E..

cvFgi

67、如果温度升高;半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是C..

A、变大;变大B、变小;变小

C、变小;变大D、变大;变小

8、最有效的复合中心能级的位置在D附近;最有利于陷阱作用的能级位置位于C附近;并且

常见的是E陷阱..

A、E；B、E；C、E；D、E；E、少子；F、多子..

ABFi

9、一块半导体寿命τ=15μs;光照在材料中会产生非平衡载流子;光照突然停止30μs后;

其中非平衡载流子将衰减到原来的C..

A、1/4B、1/eC、1/e2D、1/2

10、半导体中载流子的扩散系数决定于该材料中的A..

A、散射机构；B、复合机构；

C、杂质浓度梯度；C、表面复合速度..

11、下图是金属和n型半导体接触能带图;图中半导体靠近金属的表面形成了D