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- 2024-03-20 发布于四川
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本实用新型公开了一种半导体快速退火炉工艺腔体结构,至少包括炉体和炉门,炉门位于炉体的炉口处且与炉体相互配合形成密封腔室;炉体的内部为炉体腔室,炉体腔室的内部设有石英腔体,石英腔体的内部为工艺腔室,炉体的顶部设有上盖板,炉体的底部设有下盖板,上盖板内部和下盖板内部设有冷却系统,在石英腔体与上盖板之间设有若干个横向隔空布置的卤钨素灯,在炉体腔室的内部表面设有反射镀层。本实用新型设置卤钨素灯作为炉体内的热源,对石英腔体内部的晶圆进行快速的工艺加热,升温快速,提升工作效率。在炉体腔室的内部表面设有反射镀
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220624864U
(45)授权公告日2024.03.19
(21)申请号202321335058.2
(22)申请日2023.05.29
(73)专利权人无锡松煜科技有限公司
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