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本申请提供了一种耗尽型氮化镓HEMT器件，包括：异质结；形成在所述异质结上的栅介质部；形成在所述异质结上源电极和漏电极；形成在所述栅介质部上的栅极机构，所述栅极机构包括至少一个中间部和与所述中间部对应的栅极部，所述中间部具有自上而下逐渐向内倾斜的导向单元，所述栅极部包括形成在所述导向单元上的倾斜单元和自所述倾斜单元的下端水平向内延伸的水平单元。本申请通过在各层场板的台阶处增加中间部，能够减缓台阶处的坡度，形成较为平滑的台阶，并且还可以在此缓坡上形成的场板结构，各层之间衔接较为平滑，这样会优化器件
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117727780A
(43)申请公布日2024.03.19
(21)申请号202311797123.8
(22)申请日2023.12.25
(71)申请人深圳镓楠半导体科
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