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本发明提供了一种围栅晶体管中源漏区结构的制备方法，包括：提供一衬底，形成于衬底上的沟道区结构、第一刻蚀空腔以及第二刻蚀空腔；第一刻蚀空腔与第二刻蚀空腔沿第一方向排列于沟道区结构的两侧；沟道区结构包括第一沟道层；第一沟道层表征了最靠近衬底的沟道层；形成第一外延阻挡层、形成于第一刻蚀空腔中的衬底的表面，且掺杂有第一杂质离子的第一阻断层以及形成于第二刻蚀空腔中的衬底的表面的第二阻断层；分别在第一阻断层和第二阻断层的表面同质外延生长源区结构与漏区结构；第一阻挡层、第一阻断层以及第二阻断层的高度介于第一沟
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117727633A
(43)申请公布日2024.03.19
(21)申请号202311822611.X
(22)申请日2023.12.27
(71)申请人复旦大学
地址200433
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