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本申请提供一种发光二极管及发光装置，该发光二极管包括：具有相对的出光面和背面的半导体叠层，半导体叠层沿出光面到背面的方向包括依次叠置的第一半导体层、有源层和第二半导体层；在背面一侧，半导体叠层具有暴露出第一半导体层的第一台面和与第一台面相邻的第二台面；形成于半导体叠层背面的第一电极，该第一电极至少环绕部分第二台面，且环绕部分第二台面的第一电极向出光面的方向延伸；其中第一电极具有第一倒角部，第二台面具有第二倒角部，第一电极与第二台面具有一最小距离L，第二倒角部的曲率半径大于或等于本申请技术方案通过
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117727748A
(43)申请公布日2024.03.19
(21)申请号202311482265.5
(22)申请日2023.11.08
(71)申请人泉州三安半导体科技有限公司
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