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一种降低金锡熔封元器件空洞率和提高气密性的封焊工艺.pdfVIP

一种降低金锡熔封元器件空洞率和提高气密性的封焊工艺.pdf

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    本发明涉及半导体器件封焊技术领域，公开了一种降低金锡熔封元器件空洞率和提高气密性的封焊工艺，包括以下步骤：叠装封焊结构、清洗熔封腔、将封焊结构放入熔封腔并去除熔封腔水氧含量、对熔封腔加热并抽真空、向熔封腔加热填充还原性气体、封焊结构保温还原、向熔封腔充保护气体并充分加热、熔封腔保温抽真空、熔封腔快速升温、保温使得熔封环充分熔化反应、熔封腔内通入保护气体对熔封腔快速冷却。本发明在降低金锡熔封器件熔封空洞率，提高气密性的同时，可适用于多种封装形式，保证产品高质量并兼顾了生产效率。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117747438A

    (43)申请公布日2024.03.22

    (21)申请号202311603311.2C21D9/40(2006.01)

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