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本发明涉及一种改善硅抛光片边缘金属污染的加工方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：对完成倒角加工的硅抛光片，进行碱腐蚀加工。第二步：碱腐蚀后的硅抛光片洗净后，进行边缘抛光。第三步：进行正面抛光后，进行单面洗净，洗净的药液为SC1溶液和HF溶液，硅抛光片分别在SC1清洗槽和HF清洗槽内进行清洗。第四步：单面洗净后硅抛光片进行纯水喷淋并完成氮气加热烘干过程。第五步：进行表面金属测试。具有操作便捷、效果好、省时省力和质量稳定性好的特点。解决了硅抛光片的边缘很容易引入金属杂质污染的问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117732770A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202311634287.9
(22)申请日2023.12.01
(71)申请人杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
地
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