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本申请提供一种LDMOS器件及其制备方法，衬底具有间隔设置的漂移区以及沟道区，漂移区中具有漏区；场氧化层位于漏区与沟道区之间的漂移区上；栅极多晶硅与栅极场板连接，栅极多晶硅位于衬底上，栅极场板位于场氧化层上；多晶硅场板位于漂移区，与栅极场板间隔设置，且位于栅极场板远离沟道区的一侧；层间介质层覆盖衬底、场氧化层、栅极多晶硅、栅极场板以及多晶硅场板，层间介质层具有位于多晶硅场板与漏区之间的接触孔，且均与多晶硅场板以及漏区间隔设置；接触孔场板填充于接触孔中，且均与多晶硅场板以及沟道区连接，多晶硅场板及
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117747664A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202311635934.8
(22)申请日2023.12.01
(71)申请人粤芯半导体技术股份有限公司
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