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本发明提供了一种基于微机械硅波导空间一体化集成的太赫兹微纳系统及其制造方法，所述微机械硅波导空间一体化集成的太赫兹微纳系统包括：自下而上设置的第一层硅衬底、第二层硅衬底、第三层硅衬底、第四层硅衬底、第五层硅衬底；射频芯片；芯片埋置槽；输入/输出硅波导‑CPWG转换结构；硅波导无源元件；TSV阵列。本发明利用MEMS圆片级键合工艺实现了多层硅衬底的堆叠，实现了硅微机械波导无源元件与微波电路的空间一体化集成，降低了传输损耗，提高了太赫兹微纳系统结构的空间利用率；MEMS体硅工艺的高精度加工保证了太赫
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117735474A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202311738928.5
(22)申请日2023.12.15
(71)申请人中国电子科技集团
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