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本发明提供一种双极晶体管辐射缺陷退火方法、装置、电子设备及介质，该方法包括：获取待退火双极晶体管及样本双极晶体管；对样本双极晶体管的基极与集电极之间施加偏置电压，并对样本双极晶体管的发射极施加不同电流密度的电流，当样本双极晶体管的基极电流变化量随电流密度增大而减小，将对应的电流密度及偏置电压设置为辐射退火条件；将辐射退火条件施加到辐照后的待退火双极晶体管进行退火处理，得到退火双极晶体管。本申请对样本双极晶体管施加复合应力以确定双极晶体管的退火条件，基于退火条件对辐照后的双极晶体管进行退火，完成退
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117747428A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202311708424.9H01L21/66(2006.01)
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