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基于埋入式硅基的大阵列APD基板及制备方法、功能芯片.pdfVIP

基于埋入式硅基的大阵列APD基板及制备方法、功能芯片.pdf

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    本申请提供一种基于埋入式硅基的大阵列APD基板及制备方法、功能芯片，涉及电子制造领域，包括：提供晶圆基底；对晶圆基底的第一侧进行刻蚀处理，在晶圆基底的第一侧形成第一数量的填埋槽；将多个APD单元填入多个填埋槽的中心区域内，以使APD单元与填埋槽的槽底键合，APD单元为APD芯片阵列或APD芯片，APD芯片阵列包含阵列排布的多个APD芯片；对晶圆基底的第一侧进行表面钝化处理，得到大阵列APD基板。本申请通过在晶圆基底上形成填埋槽，并将数量较少APD芯片阵列或APD芯片填充在填埋槽内构成大阵列APD

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117747601A

    (43)申请公布日2024.03.22

    (21)申请号202410190425.7

    (22)申请日2024.02.21

    (71)申请人北京大学

    地址100871

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