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本发明公开了一种泡沫铜填充垂直硅通孔的方法，包括以下步骤：(1)以TSV样品作为发泡容器，制备得到填充聚氨酯泡沫塑料的TSV样品；(2)除油处理；(3)一次粗化处理；(4)二次粗化处理；(5)敏化处理；(6)活化处理；(7)一次还原处理；(8)二次还原处理；(9)化学镀铜处理；(10)电镀铜处理；(11)高温处理；(12)清洗，烘干，即得泡沫铜填充的TSV样品。本发明还提供了泡沫铜在作为垂直硅通孔的填充材料中的应用。本发明以泡沫铜作为TSV金属层的填充材料，既保持了铜的高热导率、高电导率的特点，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117747541A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202311547940.8
(22)申请日2023.11.20
(71)申请人珠海深圳清华大学研究院创新中心
地
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