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本发明提供一种半导体结构及其制备方法。半导体结构的制备方法包括：提供衬底；在衬底表面形成具有第一边界的第一掩膜层；刻蚀第二介质层；在衬底表面形成具有第二边界的第二掩膜层，第二边界位于第一边界靠近有源区的一侧；以第二掩膜层为掩膜版形成第二栅氧层；在衬底表面形成具有第三边界的第三掩膜层，第三边界位于第一边界靠近阵列区的一侧；刻蚀高介电常数介质层。上述技术方案通过将第二边界设置于第一边界靠近有源区一侧，刻蚀后第一介质层上方的第二介质层保留，避免第一介质层在后续工艺中受损；将第三边界设置于第一边界靠近所
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117747531A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202311824188.7
(22)申请日2023.12.26
(71)申请人长鑫科技集团股份有限公司
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