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一种基于忆阻器的超导存算一体架构.pdfVIP

一种基于忆阻器的超导存算一体架构.pdf

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    本发明公开了一种基于忆阻器的超导存算一体架构，包括存算单元，所述存算单元包括超导层和忆阻器，所述忆阻器包括中间层和顶层，所述超导层通过中间层与忆阻器的顶层连接；若干行存算单元以及若干列存算单元交叉连接形成交叉阵列结构，所述交叉阵列结构每一行输入电压信号作为矩阵输入信号，交叉阵列结构实现矩阵乘加运算，每一列的最后一个存算单元输出矩阵乘加运算结果，其中，利用超导层提升运算速度；本发明的优点在于：利用忆阻器的存储能力以及超导层的高速读写和低功耗的特性，解决了当前存算一体架构计算速度不足和高能耗等方面问

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117743256A

    (43)申请公布日2024.03.22

    (21)申请号202311676034.8

    (22)申请日2023.12.01

    (71)申请人安徽大学

    地址230601

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