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三维半导体存储器装置及其制造方法.pdfVIP

三维半导体存储器装置及其制造方法.pdf

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    提供了一种三维半导体存储器装置及其制造方法。该三维半导体存储器装置可包括：衬底；衬底上的外围电路结构；以及外围电路结构上的单元阵列结构。单元阵列结构可包括：包括交替地堆叠在彼此上的层间绝缘层和导电图案的堆叠件；堆叠件上的源结构；以及在堆叠件中延伸并且电连接至源结构的底表面的竖直结构。竖直结构可包括沟道层，沟道层包括分别位于在堆叠件中延伸的竖直沟道孔中的第一部分和在堆叠件与源结构之间的区中延伸并且电连接至第一部分的第二部分。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117750770A

    (43)申请公布日2024.03.22

    (21)申请号202310647814.3

    (22)申请日2023.06.02

    (30)优先权数据

    10-2022-0119510

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