一种高取向界面无缝金刚石/GaN复合衬底的制备方法.pdfVIP

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2024-03-23 发布于四川
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一种高取向界面无缝金刚石/GaN复合衬底的制备方法.pdf

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本发明涉及GaN功率器件制备技术领域，具体公开一种高取向界面无缝金刚石/GaN复合衬底的制备方法。本发明首先采用阳离子聚合物对衬底进行处理，使带正电荷的聚合物均匀致密地吸附在衬底上；再将带正电的衬底置于带负电的纳米金刚石悬浮液中，由于静电吸附作用，使衬底表面均匀地吸附等量带负电的纳米金刚石晶种，有利于在MPCVD金刚石生长初期位于金刚石/GaN衬底界面处的金刚石晶粒之间快速连接成薄膜，形成界面致密的金刚石成核层；在MPCVD方法生长金刚石成核层的过程中，对衬底施加负偏压，使得生长的多晶金刚石颗粒

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117737848A

(43)申请公布日2024.03.22

(21)申请号202311665790.0

(22)申请日2023.12.06

(71)申请人中国电子科技集团公司第四十六研

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