晶圆的处理方法.pdfVIP

  • 12
  • 0
  • 约1.9万字
  • 约 21页
  • 2024-03-24 发布于四川
  • 举报
本公开实施例提供一种晶圆的处理方法,所述方法包括:对第一晶圆的边缘进行第一修边处理,在所述第一晶圆的边缘的拐角处形成第一倾斜面;所述第一倾斜面为平面或凹面;键合所述第一晶圆和第二晶圆。本公开实施例可以在键合前或键合后对第一晶圆进行第一修边处理,使最终得到的结构具有第一倾斜面且第一倾斜面可以是凹面或者是平面。这样,若后续需要对第一晶圆与第二晶圆进行解键合,可通过预留的第一倾斜面方便的操作,这样不会对第一晶圆和/或第二晶圆的键合面产生破坏。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115579282A

(43)申请公布日2023.01.06

(21)申请号202211376752.9

(22)申请日2022.11.04

(71)申请人湖北三维半导体集成创新中心有限

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档