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- 2024-03-24 发布于四川
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提供晶片的加工方法,能够抑制对晶片实施等离子加工时产生放电,从而能够防止器件的破损。一种晶片的加工方法,该晶片在间隔道上形成有含有金属层的图案,其中,该晶片的加工方法具有如下的步骤:沿着形成有图案的间隔道照射激光束,将图案去除,并且形成激光加工槽;在激光加工槽的内侧形成深度超过晶片的完工厚度的切削槽;对晶片的背面侧进行磨削而将晶片薄化至完工厚度并使切削槽在晶片的背面露出,从而将晶片分割成多个器件芯片;将通过晶片的磨削而形成于晶片的背面侧的破碎层去除;以及通过使用了惰性气体的等离子加工在破碎层已被
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN110364481A
(43)申请公布日
2019.10.22
(21)申请号20191
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