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整流管尖峰吸收电路探讨

haibin时间：2010-09-064121次阅读【网友评论0条我要评论】?收藏

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电源网讯最近在电源网上看到还有朋友在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，觉得大家在处理此类尖峰问题上仍过于传统，其实此处用RCD吸收会比用RC吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低〔合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压〕，而且吸收损耗也更小。

整流二极管电压波形〔RC吸收〕

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整流二极管电压波形〔RCD吸收〕????

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从这两张仿真图看来，其吸收效果相当，如不考虑二极管开通时高压降，可以认为吸收已经完全。

试验过后，你应该会很惊喜，二极管可以采用贴片的〔快速开关二极管，如果参数适宜，1N4148不错〕，电阻电容都可以用贴片的。

如果是此处的RC吸收电路参数设计的话，参考帖：?，那里有比拟详细的说明；

此处的RCD吸收设计，可以这样认为：为了吸收振荡尖峰，C应该有足够的容值，已便在吸收尖峰能量后，电容上的电压不会太高，为了平衡电容上的能量，电阻R需将存储在电容C中的漏感能量消耗掉，所以理想的参数搭配，是电阻消耗的能量刚好等于漏感尖峰中的能量(此时电容C端电压刚好等于Uin/N+Uo)，因为漏感尖峰能量有很多不确定因素，计算法很难凑效，所以下面介绍一种实验方法来设计

1.选一个大些的电容(如100nF)做电容C，D选取一个够耐压1.5*(Uin/N+Uo)的超快恢复二极管〔如1N4148〕；

2.可以选一个较小的电阻10K，1W电阻做吸收的R；

3.逐渐加大负载，并观察电容C端电压与整流管尖峰电压：

如C上电压纹波大于平均值的20%，需加大C值；

如满载时，C端电压高于Uin/N+Uo太多〔20%以上，根据整流管耐压而定〕,说明吸收太弱，需减小电阻R；

如满载时，C上电压低于或等于Uin/N+Uo，说明吸收太强，需加大电阻R；

如满载时C上电压略高于Uin/N+Uo〔5%~10%，根据整流管耐压而定〕，可视为设计参数合理；

在不同输入电压下，再验证参数是否合理，最终选取适宜的参数。

我们再看看两种吸收电路对应的吸收损耗问题〔以Flyback为例〕：

采用RC吸收：C上的电压在初级MOS开通后到稳态时的电压为Vo+Ui/N,(Vo为输出电压，Ui输入电压，N为变压器初次级匝比)，因为我们设计的RC的时间参数远小于开关周期，可以认为在一个吸收周期内，RC充放电能到稳态，所以每个开关周期，其吸收损耗的能量为：次级漏感尖峰能量+RC稳态充放电能量，近似为RC充放电能量=C*(Vo+Ui/N)^2(R上消耗能量，每个周期充一次放一次)，所以RC吸收消耗的能量为fsw*C*(Vo+Ui/N)^2,以DC300V输入，20V输出，变压器匝比为5，开关频率为100K，吸收电容为2.2nF为例，其损耗的能量为2.2N*(20+300/5)^2*100K=1.4w；

采用RCD吸收，因为采用RCD吸收，其吸收能量包括两局部，一局部是电容C上的DC能量，一局部就是漏感能量转换到C上的尖峰能量，因为漏感非常小，其峰值电流由不可能太大，所以能量也非常有限，相对来讲，只考虑R消耗的直流能量就好了，以上面同样的参数，C上的直流电压为Vo+Ui/N=80V，电阻R取47K，其能量消耗为0.14W，相比上面的1.4W，“低碳”效果非凡。

再谈谈这两种吸收电路的特点及其他吸收电路：

RC吸收：吸收尖峰的同时也将变压器输出的方波能量吸收，吸收效率低，损耗大，但电路简单，吸收周期与开关频率一致，可以用在低待机功耗电路中；

RCD吸收:适合所有应用RC吸收漏感尖峰的地方〔包括正激、反激、全桥、半桥等拓扑〕吸收效率较RC高，但是存在一直消耗电容〔一般比拟大〕储存的能量的情况，不适合应用在低待机功耗电路中〔包括初级MOS管的漏感吸收〕；

再讨论一下ZENER吸收：可以应用于初级MOS漏感尖峰吸收，次级整流管电压尖峰吸收，还可应用于低待机功耗电路，吸收效率最高，本钱高，但ZENER稳压参数变化较大，需仔细设计。

整流管的反向恢复只会出现在连续工作模式中，断续工作模式的电源拓扑，都不会存在整流管的反向恢复问题；

整流管的电容效应及次级杂散电容与次级漏感会引起振荡，这种振荡在整流管大的dv/dt〔变压器连整流管端电压变化率〕和二极管反向恢复电流〔连续模式〕