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深度脱除痕量磷硼杂质制备电子级三氯氢硅的方法与装置.pdfVIP

深度脱除痕量磷硼杂质制备电子级三氯氢硅的方法与装置.pdf

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    本申请提供了一种深度脱除痕量磷硼杂质制备电子级三氯氢硅的方法，包括：将三氯氢硅粗品精馏分离依次脱除重组分杂质、轻组分杂质，得到含有难以脱除痕量磷硼杂质的三氯氢硅产品；将含有难以脱除痕量磷硼杂质的三氯氢硅产品蒸发成三氯氢硅蒸汽后通入到流化床吸附磷硼杂质装置内，并与改性活性炭吸附剂在流态化下充分接触混合，使三氯氢硅蒸汽中的痕量磷硼杂质被改性活性炭吸附剂充分吸附而被脱除，获得低磷硼杂质含量的三氯氢硅，改性活性炭吸附剂是通过氧化改性扩容和还原改性负载高活性含氮官能团制备得到。本申请还提供了用于上述方法的

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117756118A

    (43)申请公布日2024.03.26

    (21)申请号202311836304.7B01J19/00(2006.01)

    (22)申请日2023.12.

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