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本公开涉及一种半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统。该半导体器件包括：源极结构，包括板层和依次堆叠在板层上的第一和第二水平导电层；栅电极，在垂直于源极结构的上表面的第一方向上堆叠并彼此间隔开；沟道结构，穿透栅电极，在第一方向上延伸，并包括与第一水平导电层接触的沟道层；以及穿透栅电极并在第一方向上和在垂直于第一方向的第二方向上延伸的分离区，其中第一水平导电层在分离区下方水平延伸并具有在第一方向上与分离区重叠的接缝。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117769253A
(43)申请公布日2024.03.26
(21)申请号202311231133.5G11C5/06(2006.01)
(22)申请日2023.09.2
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