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一种晶上系统结构及其C2W梯度回流组装方法.pdfVIP

一种晶上系统结构及其C2W梯度回流组装方法.pdf

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    本发明涉及集成电路封装技术领域，特别涉及一种晶上系统结构及其C2W梯度回流组装方法。包括如下步骤：提供TSV晶圆、锡膏和阻容器件；在TSV晶圆正面的阻容焊盘区域刷锡膏，采用C2W工艺将阻容贴装至阻容焊盘区域；挑出高熔点凸点芯片，蘸取助焊剂，采用C2W工艺将高熔点凸点芯片贴装至TSV晶圆正面对应的焊盘区域一；将TSV晶圆放置回流炉中进行回流，清洗助焊剂后完成阻容和高熔点凸点芯片的底部填充，以形成底部填充胶一；再挑出较高熔点凸点芯片，蘸取助焊剂。本发明采用C2W工艺梯度回流可以解决阻容器件和多材质凸

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117766414A

    (43)申请公布日2024.03.26

    (21)申请号202311760783.9H01L23/31(2006.01)

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