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利用激光划刻辅助循环冷却进行碳化硅晶体裂片的方法.pdfVIP

利用激光划刻辅助循环冷却进行碳化硅晶体裂片的方法.pdf

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    本发明公开的一种利用激光划刻辅助循环冷却进行碳化硅晶体裂片的方法，属于飞秒激光应用技术领域。本发明实现方法为：1)激光划刻在碳化硅晶体侧壁刻蚀出V型槽，便于液体进入槽内并引发裂纹；2)将划刻后的晶体放置于循环冷却装置中，上表面粘结一层柔性层并施加恒定压力；3)利用液体凝固膨胀的原理使得晶体沿V型槽开裂；4)将液体加热熔化后再进行冷却膨胀直至晶圆全部剥离。本发明通过循环冷却液体膨胀剥离晶圆的方法，能够得到表面质量较好的晶圆，与传统金刚石线锯剥离与激光改质剥离相比剥离过程引起的材料浪费较少，得到的晶

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117754144A

    (43)申请公布日2024.03.26

    (21)申请号202311822219.5B23K26/14(2014.01)

    (22)申请日2023.12.

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