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半导体装置包含基板、磊晶层、阱区、源极区、基极区、第一接面场效晶体管区、第二接面场效晶体管区、栅极介电层与栅极层。磊晶层在基板的一侧。阱区在磊晶层中。源极区在阱区中。基极区在阱区中，且相邻源极区。第一接面场效晶体管区相邻于阱区。第二接面场效晶体管区于第一接面场效晶体管区中，第一接面场效晶体管区与第二接面场效晶体管区包含具有第一半导体型的多个掺杂物，其中第二接面场效晶体管区的掺杂浓度比第一接面场效晶体管区的掺杂浓度还高。栅极介电层在磊晶层远离基板的一侧。栅极层在栅极介电层远离磊晶层的一侧。本发明可
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117766582A
(43)申请公布日2024.03.26
(21)申请号202211128427.0
(22)申请日2022.09.16
(71)申请人鸿海精密工业股份有限公司
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