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2024-03-27 发布于四川
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本发明公开了一种n‑TOPCon硼扩SE选择性发射极实现方法，包括以下步骤：S1：对硅片进行处理；S2：丝网印剧高浓度磷浆；S3：POCL3扩散制结；S4：氧化及表面钝化处理；S5：减反射膜的制备；S6：印刷及烧结铝背场及正背面电极；S7：去除周边PN结。本发明所述的一种n‑TOPCon硼扩SE选择性发射极实现方法，本方法提高了电池的开路电压，短路电流，降低了串联电阻，提高了填充因子，从而提高电池的效率，且具有更高的光电转化率、极低的反向漏电流、在光照的条件下性能衰减小、弱光下性能极佳，热斑效应

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117766621A

(43)申请公布日2024.03.26

(21)申请号202311526592.6

(22)申请日2023.11.16

(71)申请人弘元新材料（徐州）有限公司

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