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本发明涉及硅晶片清洗技术领域，具体涉及一种溶体碳化硅晶片清洗装置及其方法。本发明提供了一种溶体碳化硅晶片清洗装置，包括：晶片盒、传动柱和两缓冲限位件，所述晶片盒内部中空，晶片适于插入所述晶片盒内；所述传动柱转动设置在所述晶片盒的内底部，所述传动柱适于驱动晶片周向转动；所述缓冲限位件滑动设置在所述晶片盒内，两缓冲限位件相对设置，且两缓冲限位件之间的间距小于晶片的厚度；其中，晶片竖直状插入晶片盒内时，两缓冲限位件适于从两侧与晶片抵接，以减缓晶片的向下移动速度；晶片底壁与传动柱抵接时，两缓冲限位件适于
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117766440A
(43)申请公布日2024.03.26
(21)申请号202410195275.9
(22)申请日2024.02.22
(71)申请人常州臻晶半导体有
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