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本申请涉及一种半导体器件结构及其制备方法。该半导体器件结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底的表面形成外延层；于外延层内形成埋氧层；于外延层内形成沟槽，沟槽暴露出埋氧层；于沟槽的侧壁形成栅氧化层，栅氧化层与埋氧层相接触。本申请通过在外延层内形成埋氧层，再于沟槽的侧壁形成栅氧化层，由于埋氧层的存在，解决了因半导体器件结构沟槽底部角落处电场聚集，导致在半导体器件结构导通期间栅氧化层承受了巨大的电场被击穿的问题，进而提高了半导体器件结构的可靠性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117766401A
(43)申请公布日2024.03.26
(21)申请号202311844183.0
(22)申请日2023.12.29
(71)申请人广东芯粤能半导体有限公司
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