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半导体元件及其制备方法.pdfVIP

半导体元件及其制备方法.pdf

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    本申请公开一种接触结构、一种半导体元件，以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一基底；一杂质区，设置于该基底中；一中介导电层，设置于该杂质区上；一底部导电层，设置于该中介导电层上；一导电封盖层，设置于该底部导电层上；一顶部导电层，设置于该导电封盖层上。该中介导电层、该底部导电层、该导电封盖层及该顶部导电层配置成一接触结构。该底部导电层包括锗或硅锗。该底部导电层包括一n型掺杂物或一p型掺杂物。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117766493A

    (43)申请公布日2024.03.26

    (21)申请号202310457057.3

    (22)申请日2023.04.25

    (30)优先权数据

    17/953,0462022

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    知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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