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超辐射发光二极管的制备方法及超辐射发光二极管.pdfVIP

超辐射发光二极管的制备方法及超辐射发光二极管.pdf

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    本发明通过提供一种超辐射发光二极管的制备方法及超辐射发光二极管，该制备方法包括：首先，将半导体制冷器固定于管壳内部的凹槽中，其次，将热沉固定于半导体制冷器上，再次，将陶瓷载体固定于热沉的第一端，并将超辐射发光二极管芯片以及热敏电阻依次固定于陶瓷载体上，再次，将光纤穿插在管壳的管嘴中，并伸入管壳的凹槽中，使光纤远离管嘴的端部与超辐射发光二极管芯片耦合，以形成超辐射发光二极管组装结构，最后，对超辐射发光二极管组装结构进行退火处理，以形成超辐射发光二极管；上述制备方法能够实现超辐射发光二极管在变温区间

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117767102A

    (43)申请公布日2024.03.26

    (21)申请号202310692218.7

    (22)申请日2023.06.12

    (71)申请人苏州同感光电科技有限公司

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