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本发明涉及一种温度传感器、电子设备及温度传感器的制备方法。该温度传感器包括:承载晶圆,具有第一孔或槽、第二孔或槽、填充于第一孔或槽内的第一电连接部以及填充于第二孔或槽内的第二电连接部;CMOS组件,设置在承载晶圆上,且与第一电连接部电连接;第一介质层,形成在承载晶圆设置有CMOS组件的一侧,并覆盖CMOS组件;第一介质层具有第三孔或槽以及填充于第三孔或槽内的第三电连接部,第三电连接部与第二电连接部电连接;MEMS组件,设置在第一介质层上,且与第三电连接部电连接;及互联组件,设置在承载晶圆背离第一
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117760565A
(43)申请公布日2024.03.26
(21)申请号202410046364.7G01J5/00(2022.01)
(22)申请日2024.01.1
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