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2024-03-27 发布于四川
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一种绿光mini-LED及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种绿光mini‑LED及其制备方法，外延结构由下至上包括衬底、AlN缓冲层、无意掺杂u‑GaN层、n‑AlxGa1‑xN层、InGaN/GaN超晶格层、绿光多量子阱发光层和p型层；所述外延结构通过台面蚀刻至裸露n‑AlxGa1‑xN层，n电极和p电极分别设于n‑AlxGa1‑xN层和p型层上。本发明通过低电阻率n‑AlGaN层的设计，在不影响绿光多量子阱质量以及内量子效率(IQE)的前提下，由于串联电阻的减小以及更加均匀的电流分布，采用n‑AlGaN层的绿光微型led的正向电压降低

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117766648A

(43)申请公布日2024.03.26

(21)申请号202410066909.0

(22)申请日2024.01.17

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