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本发明公开了一种离子束刻蚀挡板装置，属于半导体技术领域，包括反应腔体、载台片、挡板、挡板驱动件、离子源和固定罩，所述反应腔体的内部一端设有挡板，且挡板通过挡板驱动件进行控制；所述挡板设置于所述离子源的栅网口与所述载台片之间；所述挡板驱动件是由外接马达与转轴构成的；所述反应腔体的一端固定连接有用于用于保护离子源的固定罩，且固定罩的内部设有离子源；本实用能够极大程度的减少被离子束溅射出来的挡板材料进入到离子源内部的数量，降低对离子源的绝缘筒及离子源栅网的损坏，提高设备的稳定性及可靠性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117758214A
(43)申请公布日2024.03.26
(21)申请号202211137503.4
(22)申请日2022.09.19
(71)申请人拙明半导体（苏州）有限公司
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