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一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：形成基底，所述基底包括：衬底；鳍部，所述鳍部凸起于所述衬底；在所述基底上形成伪栅结构；在相邻伪栅结构两侧的基底内形成源漏区；形成位于所述源漏区之间的阻挡结构和所述阻挡结构与所述源漏区之间的空气侧墙。本发明技术方案，所述阻挡结构和所述源漏区之间具有空气侧墙。所述空气侧墙的设置，能够有效改善所述阻挡结构的阻挡性能，特别是能够有效阻挡游离氧的扩散，能够有效防止单扩散阻挡所引起的布局依赖效应的恶化。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117766393A
(43)申请公布日2024.03.26
(21)申请号202211138593.9
(22)申请日2022.09.19
(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限
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