一种半导体器件制备装置及制备方法.pdfVIP

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2024-03-27 发布于四川
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一种半导体器件制备装置及制备方法.pdf

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本公开涉及一种半导体器件制备装置及制备方法，该装置包括气体管道、气体优化系统以及反应腔室；气体管道包括多个气体入口管道；所述反应腔室内部自上而下设置有射频匹配器、气体分配盘、晶圆托盘以及气体排出部；多个气体入口连接所述气体混合优化系统；气体优化系统设置在所述反应腔室外部；气体混合优化系统包括气体搅拌装置和气体过滤装置。气体搅拌装置实现多路气体的均匀分布，气体过滤装置将均匀分布后的多路气体中携带的颗粒杂质有效去除，气体混合优化系统实现混合后的多路气体在PECVD装置反应腔室中的多方向分布，从而使气

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115287630A

(43)申请公布日2022.11.04

(21)申请号202210941322.0

(22)申请日2022.08.04

(71)申请人长鑫存储技术有限公

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