原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
电子科技大学二零九至二零一零学年第一学期期末考试
半导体物理课程考试题B卷〔120分钟〕考试形式：闭卷 考试日期2023年元月18日课程成绩构成：寻常10 分，期中 5 分，试验 15 分，期末 70 分
— 二 三 四 五 六 七 八 九 十 合计 复核人
签名
得分签名
得分
一、填空题: 〔共16分，每空1分〕
简并半导体一般是重 掺杂半导体，这时电离杂质 对载流子的散射作用不行无视。
处在饱和电离区的N型Si半导体在温度上升后，电子迁移率会下降/减小，电阻率会上升/增大。
电子陷阱存在于 P/空穴 型半导体
文档评论（0）