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本发明提供一种Mini‑LED制备方法及Mini‑LED,该制备方法包括以下步骤:在衬底上生长形成外延层,以得到外延片;在GaP层的表面沉积形成SiO2层;将完成抛光处理后的外延片及蓝宝石置入酸性活化液中进行活化处理,其中,酸性活化液由体积比为7:3:1的H2SO4、H2O2、H2O组成;将完成活化处理后的外延片及蓝宝石进行键合,并去除衬底,以得到Mini‑LED。通过调整硅烷流量,增加腔体压力,降低功率的方式沉积形成SiO2层,提高了SiO2的压应力,从而提高SiO2层与蓝宝石和Gap层之间的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117766647A
(43)申请公布日2024.03.26
(21)申请号202410116732.0
(22)申请日2024.01.29
(71)申请人江西兆驰半导体有限公司
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