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一种多晶金刚石片在制备低温热敏电阻器件中的应用.pdfVIP

一种多晶金刚石片在制备低温热敏电阻器件中的应用.pdf

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    本发明提供了一种多晶金刚石片在制备低温热敏电阻器件中的应用，属于热敏电阻技术领域。该多晶金刚石片的厚度为0.3～2mm，晶粒尺寸为0.01～0.2mm，晶粒取向为晶面(220)方向。解决了金刚石热敏电阻在200℃以下的低温区敏感性能不够的问题。通过简化器件结构，设计制备基于自支撑金刚石的热敏电阻器件，避免了衬底材料等外部干扰；进而调控自支撑多晶金刚石的晶粒取向，明晰热激发电导机制，优化提升器件的低温敏感性能；制得的自支撑多晶金刚石热敏电阻在25～200℃范围内的温度敏感常数B超过7000K，最高

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117766244A

    (43)申请公布日2024.03.26

    (21)申请号202311826548.7

    (22)申请日2023.12.26

    (71)申请人中国地质大学（武

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